LBTEK 的APD雪崩光电探测器提供比同类型PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声。内部集成了热敏电阻，通过调节偏置电压补偿温度变化对M因子产生的影响，适合于低光功率级别的应用。 一般而言，雪崩光电二极管利用内部增益机制来增加灵敏度，将一个较高的反向偏压施加到该二极管来产生强电场。当入射光子产生一个电子空穴对时，电场使电子加速，导致由碰撞电离产生次级电子。所产生的电子雪崩将产生几百倍的增益因子，用倍增因子M表示，M与反向偏压和温度呈函数关系。一般而言，M因子随温度降低而增大，随温度升高而减小。类似的，M因子将在反向偏置电压升高时增大，在反向偏置电压降低时减小。
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工作电压
9 V |
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工作电流
＜200 mA |
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输出阻抗
50 Ω |
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输出接头
SMA female |
1.硅基雪崩光电探测器响应曲线
2.铟镓砷雪崩光电探测器响应曲线
1.自由空间光型电源输入接口
2.光纤型电源输入接口
3.输出接口
LBTEK 的硅基雪崩光电探测器光谱响应范围为300/400-1000/1100 nm。有光纤和空间光两种输入方式可选择，其内部集成了一个热敏电阻，它通过调节雪崩光电探测器两端的偏置电压，以补偿温度变化对M因子产生的影响，从而在温度变化的环境中提供更好的输出稳定性。
LBTEK的铟镓砷雪崩光电探测器光谱响应范围为1000-1700nm。有光纤和空间光两种输入方式可选择，其内部集成了一个热敏电阻，它通过调节雪崩光电探测器两端的偏置电压，以补偿温度变化对M因子产生的影响，从而在温度变化的环境中提供更好的输出稳定性。
